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DMN26D0UFB4-7 N 通道 20V 230mA (Ta) 350mW (Ta) 表面黏著式 X2-DFN1006-3
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100 1.00360 HK$100.36
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其他包裝
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DMN26D0UFB4-7

規格書
Digi-Key零件編號 DMN26D0UFB4-7DICT-ND
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製造商

Diodes Incorporated

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製造商零件編號 DMN26D0UFB4-7
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說明 MOSFET N-CH 20V 230MA 3DFN
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製造商的標準前置時間 19 週
完整說明

N 通道 20V 230mA (Ta) 350mW (Ta) 表面黏著式 X2-DFN1006-3

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客戶參考號碼
產品屬性
類型 說明 選取所有項目
類別
製造商 Diodes Incorporated
系列 -
封裝 絕緣帶封裝 (CT) 
零件狀態 有源
FET 類型 N 通道
技術 MOSFET (金氧)
汲極至源極電壓 (Vdss) 20V
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C 230mA (Ta)
驅動電壓 (最大值 Rds On、最小值 Rds On) 1.5V、4.5V
Rds On (最大值) @ Id、Vgs 3Ohm @ 100mA、4.5V
Vgs(th) (最大值) @ Id 1.1V @ 250µA
Vgs (最大值) ±10V
輸入電容 (Ciss) (最大值) @ Vds 14.1pF @ 15V
FET 特點 -
功率耗散 (最大值) 350mW (Ta)
工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型 表面黏著式
供應商元件封裝 X2-DFN1006-3
封裝/外殼 3-XFDFN
 
環境和出口規範分類
RoHS 指令狀態 ROHS3 合規
濕度敏感等級 (MSL) 1 (無限)
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其他資源
標準包裝 1
其他名稱 DMN26D0UFB4-7DICT