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DMN1019USN-7 N 通道 12V 9.3 A (Ta) 680mW (Ta) 表面黏著式 SC-59
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價格分段 單價 總價
1 3.98000 $3.98
10 3.20100 $32.01
25 2.93360 $73.34
100 2.18250 $218.25
500 1.63660 $818.30
1,000 1.22754 $1,227.54

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其他包裝
  • 編帶和捲軸封裝 (TR)  : DMN1019USN-7DITR-ND
  • 最低訂購數量為: 3,000
  • 現有數量: 0
  • 單價: HK$1.12520

DMN1019USN-7

規格書
Digi-Key零件編號 DMN1019USN-7DICT-ND
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製造商

Diodes Incorporated

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製造商零件編號 DMN1019USN-7
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說明 MOSFET N-CH 12V 9.3A SC59
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製造商的標準前置時間 52 週
完整說明

N 通道 12V 9.3 A (Ta) 680mW (Ta) 表面黏著式 SC-59

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客戶參考號碼
文件與媒體
規格書 DMN1019USN
RoHS指令資訊 Diodes RoHS 3 Cert
PCN 組裝地/原產地 Mult Dev 05/Dec/2019
HTML 規格書 DMN1019USN
EDA / CAD 模型 DMN1019USN-7 by Ultra Librarian
產品屬性
類型 說明 選取所有項目
類別
製造商 Diodes Incorporated
系列 -
封裝 絕緣帶封裝 (CT) 
零件狀態 有源
FET 類型 N 通道
技術 MOSFET (金氧)
汲極至源極電壓 (Vdss) 12V
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C 9.3 A (Ta)
驅動電壓 (最大值 Rds On、最小值 Rds On) 1.2V、2.5V
Rds On (最大值) @ Id、Vgs 10mOhm @ 9.7A、4.5V
Vgs(th) (最大值) @ Id 800mV @ 250µA
閘極電荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 50.6nC @ 8V
Vgs (最大值) ±8V
輸入電容 (Ciss) (最大值) @ Vds 2426pF @ 10V
FET 特點 -
功率耗散 (最大值) 680mW (Ta)
工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型 表面黏著式
供應商元件封裝 SC-59
封裝/外殼 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3
基本零件編號 DMN1019
 
環境和出口規範分類
RoHS 指令狀態 ROHS3 合規
濕度敏感等級 (MSL) 1 (無限)
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其他資源
標準包裝 1
其他名稱 DMN1019USN-7DICT