HKD | USD
喜愛項目

DMG6602SVTQ-7 MOSFET - 陣列 N 和 P 通道 30V 3.4 A、2.8 A 840mW 表面黏著式 TSOT-26
價格與採購
107,152 庫存現貨
可立即發貨
 

數量
所有價格皆為 HKD。
價格分段 單價 總價
1 3.13000 HK$3.13
10 2.41600 HK$24.16
25 2.31120 HK$57.78
100 1.45040 HK$145.04
500 1.34316 HK$671.58
1,000 0.91334 HK$913.34

送出報價請求,瞭解超過顯示數量時的價格。

其他包裝
  • 編帶和捲軸封裝 (TR)  : DMG6602SVTQ-7DITR-ND
  • 最低訂購數量為: 3,000
  • 現有數量: 105,000 - 即時供貨
  • 單價: HK$0.84081
  • Digi-Reel®  : DMG6602SVTQ-7DIDKR-ND
  • 最低訂購數量為: 1
  • 現有數量: 107,152 - 即時供貨
  • 單價: Digi-Reel®

DMG6602SVTQ-7

規格書
Digi-Key零件編號 DMG6602SVTQ-7DICT-ND
複製  
製造商

Diodes Incorporated

複製  
製造商零件編號 DMG6602SVTQ-7
複製  
說明 MOSFET N/P-CH 30V TSOT26
複製  
製造商的標準前置時間 30 週
完整說明

MOSFET - 陣列 N 和 P 通道 30V 3.4 A、2.8 A 840mW 表面黏著式 TSOT-26

複製  
客戶參考號碼
文件與媒體
規格書 DMG6602SVTQ
RoHS指令資訊 Diodes RoHS 3 Cert
HTML 規格書 DMG6602SVTQ
產品屬性
類型 說明 選取所有項目
類別
製造商 Diodes Incorporated
系列 -
封裝 絕緣帶封裝 (CT) 
零件狀態 有源
FET 類型 N 和 P 通道
FET 特點 標準
汲極至源極電壓 (Vdss) 30V
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C 3.4 A、2.8 A
Rds On (最大值) @ Id、Vgs 60mOhm @ 3.1A、10V
Vgs(th) (最大值) @ Id 2.3V @ 250µA
閘極電荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 13nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) (最大值) @ Vds 400pF @ 15V
功率 - 最大值 840mW
工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型 表面黏著式
封裝/外殼 SOT-23-6 細型、TSOT-23-6
供應商元件封裝 TSOT-26
 
環境和出口規範分類
RoHS 指令狀態 ROHS3 合規
濕度敏感等級 (MSL) 1 (無限)
您可能會對以下項目感興趣

DMN3135LVT-7

MOSFET 2N-CH 30V 3.5A TSOT26

Diodes Incorporated

HK$3.63000 詳情

DMG6601LVT-7

MOSFET N/P-CH 30V 26TSOT

Diodes Incorporated

HK$3.04000 詳情

TPS70933DBVR

IC REG LINEAR 3.3V 150MA SOT23-5

Texas Instruments

HK$8.87000 詳情

NTCG103JF103FT1

THERMISTOR NTC 10KOHM 3380K 0402

TDK Corporation

HK$0.84000 詳情

DMC2700UDM-7

MOSFET N/P-CH 20V SOT26

Diodes Incorporated

HK$2.96000 詳情

MAX15062AATA+T

IC REG BUCK 3.3V 300MA 8TDFN

Maxim Integrated

HK$23.91000 詳情
其他資源
標準包裝 1
其他名稱 DMG6602SVTQ-7DICT