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DMG6601LVT-7 MOSFET - 陣列 N 和 P 通道 30V 3.8 A、2.5 A 850mW 表面黏著式 TSOT-26
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DMG6601LVT-7

規格書
Digi-Key零件編號 DMG6601LVT-7DICT-ND
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製造商

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製造商零件編號 DMG6601LVT-7
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說明 MOSFET N/P-CH 30V 26TSOT
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製造商的標準前置時間 15 週
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MOSFET - 陣列 N 和 P 通道 30V 3.8 A、2.5 A 850mW 表面黏著式 TSOT-26

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客戶參考號碼
文件與媒體
規格書 DMG6601LVT
RoHS指令資訊 Diodes RoHS 3 Cert
PCN 組裝地/原產地 Mult Dev Wafer Chgs 4/Oct/2019
HTML 規格書 DMG6601LVT
EDA / CAD 模型 DMG6601LVT-7 by Ultra Librarian
產品屬性
類型 說明 選取所有項目
類別
製造商 Diodes Incorporated
系列 -
封裝 絕緣帶封裝 (CT) 
零件狀態 有源
FET 類型 N 和 P 通道
FET 特點 邏輯電平閘極
汲極至源極電壓 (Vdss) 30V
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C 3.8 A、2.5 A
Rds On (最大值) @ Id、Vgs 55mOhm @ 3.4A、10V
Vgs(th) (最大值) @ Id 1.5V @ 250µA
閘極電荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 12.3nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) (最大值) @ Vds 422pF @ 15V
功率 - 最大值 850mW
工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型 表面黏著式
封裝/外殼 SOT-23-6 細型、TSOT-23-6
供應商元件封裝 TSOT-26
基本零件編號 DMG6601
 
環境和出口規範分類
RoHS 指令狀態 ROHS3 合規
濕度敏感等級 (MSL) 1 (無限)
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標準包裝 1
其他名稱 DMG6601LVT-7DICT