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DMG1016V-7 MOSFET - 陣列 N 和 P 通道 20V 870mA、640mA 530mW 表面黏著式 SOT-563
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價格分段 單價 總價
1 4.15000 $4.15
10 3.12500 $31.25
25 2.81840 $70.46
100 1.94710 $194.71
500 1.33222 $666.11
1,000 1.02479 $1,024.79

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其他包裝
  • 編帶和捲軸封裝 (TR)  : DMG1016V-7DITR-ND
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  • 現有數量: 0
  • 單價: HK$0.92231

DMG1016V-7

規格書
Digi-Key零件編號 DMG1016V-7DICT-ND
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製造商

Diodes Incorporated

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製造商零件編號 DMG1016V-7
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說明 MOSFET N/P-CH 20V SOT563
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製造商的標準前置時間 45 週
完整說明

MOSFET - 陣列 N 和 P 通道 20V 870mA、640mA 530mW 表面黏著式 SOT-563

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客戶參考號碼
文件與媒體
規格書 DMG1016V
RoHS指令資訊 Diodes RoHS 3 Cert
PCN 設計/規格 Bond Wire 11/Nov/2011
PCN 組裝地/原產地 Mult Dev A/T Site 31/Mar/2021
HTML 規格書 DMG1016V
產品屬性
類型 說明 選取所有項目
類別
製造商 Diodes Incorporated
系列 -
封裝 絕緣帶封裝 (CT) 
零件狀態 有源
FET 類型 N 和 P 通道
FET 特點 邏輯電平閘極
汲極至源極電壓 (Vdss) 20V
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C 870mA、640mA
Rds On (最大值) @ Id、Vgs 400mOhm @ 600mA、4.5V
Vgs(th) (最大值) @ Id 1V @ 250µA
閘極電荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 0.74nC @ 4.5V
輸入電容 (Ciss) (最大值) @ Vds 60.67pF @ 16V
功率 - 最大值 530mW
工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型 表面黏著式
封裝/外殼 SOT-563、SOT-666
供應商元件封裝 SOT-563
基本零件編號 DMG1016
 
環境和出口規範分類
RoHS 指令狀態 ROHS3 合規
濕度敏感等級 (MSL) 1 (無限)
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標準包裝 1
其他名稱 DMG1016V-7DICT