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DMG1012UW-7 N 通道 20V 1 A (Ta) 290mW (Ta) 表面黏著式 SOT-323
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10 2.50700 $25.07
25 2.09680 $52.42
100 1.32800 $132.80
500 0.87336 $436.68
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其他包裝
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DMG1012UW-7

規格書
Digi-Key零件編號 DMG1012UW-7DICT-ND
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製造商

Diodes Incorporated

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製造商零件編號 DMG1012UW-7
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說明 MOSFET N-CH 20V 1A SOT323
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製造商的標準前置時間 52 週
完整說明

N 通道 20V 1 A (Ta) 290mW (Ta) 表面黏著式 SOT-323

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客戶參考號碼
文件與媒體
規格書 DMG1012UW
RoHS指令資訊 Diodes RoHS 3 Cert
PCN 設計/規格 Bond Wire 3/May/2011
PCN 組裝地/原產地 Mult Dev Site Add 1/Jul/2020
PCN 其他 Multiple Device Changes 29/Apr/2013
HTML 規格書 DMG1012UW
EDA / CAD 模型 DMG1012UW-7 by Ultra Librarian
DMG1012UW-7 by SnapEDA
產品屬性
類型 說明 選取所有項目
類別
製造商 Diodes Incorporated
系列 -
封裝 絕緣帶封裝 (CT) 
零件狀態 有源
FET 類型 N 通道
技術 MOSFET (金氧)
汲極至源極電壓 (Vdss) 20V
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C 1 A (Ta)
驅動電壓 (最大值 Rds On、最小值 Rds On) 1.8V、4.5V
Rds On (最大值) @ Id、Vgs 450mOhm @ 600mA、4.5V
Vgs(th) (最大值) @ Id 1V @ 250µA
閘極電荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 0.74nC @ 4.5V
Vgs (最大值) ±6V
輸入電容 (Ciss) (最大值) @ Vds 60.67pF @ 16V
FET 特點 -
功率耗散 (最大值) 290mW (Ta)
工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型 表面黏著式
供應商元件封裝 SOT-323
封裝/外殼 SC-70、SOT-323
基本零件編號 DMG1012
 
環境和出口規範分類
RoHS 指令狀態 ROHS3 合規
濕度敏感等級 (MSL) 1 (無限)
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其他資源
標準包裝 1
其他名稱 DMG1012UW-7DICT