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SI2309 Vishay Siliconix - 電晶體 - FET、MOSFET - 單一

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電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C
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Rds On (最大值) @ Id、Vgs
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Vgs(th) (最大值) @ Id
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閘極電荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
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比較零件 Datasheets 圖片 Digi-Key零件編號 製造商零件編號 製造商 說明 現有數量
單價
HKD
最低訂購數量為 封裝 系列 零件狀態 FET 類型 技術 汲極至源極電壓 (Vdss) 電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C 驅動電壓 (最大值 Rds On、最小值 Rds On) Rds On (最大值) @ Id、Vgs Vgs(th) (最大值) @ Id 閘極電荷 (Qg) (最大值) @ Vgs Vgs (最大值) 輸入電容 (Ciss) (最大值) @ Vds FET 特點 功率耗散 (最大值) 工作溫度 安裝類型 供應商元件封裝 封裝/外殼
   
SI2309CDS-T1-GE3 Datasheet SI2309CDS-T1-GE3 - Vishay Siliconix SI2309CDS-T1-GE3TR-ND SI2309CDS-T1-GE3 MOSFET P-CH 60V 1.6A SOT23-3 38,961 - 即時供貨 可供應: 38,961 HK$1.58492 3,000 最低訂購數量 : 3,000 編帶和捲軸封裝 (TR)
可替代的包裝
TrenchFET® 有源 P 通道 MOSFET (金氧) 60V 1.6 A (Tc) 4.5V、10V 345mOhm @ 1.25A、10V 3V @ 250µA 4.1nC @ 4.5V ±20V 210pF @ 30V
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1W (Ta)、1.7W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) 表面黏著式 SOT-23-3 (TO-236) TO-236-3、SC-59、SOT-23-3
SI2309CDS-T1-GE3 Datasheet SI2309CDS-T1-GE3 - Vishay Siliconix SI2309CDS-T1-GE3CT-ND SI2309CDS-T1-GE3 MOSFET P-CH 60V 1.6A SOT23-3 38,961 - 即時供貨 可供應: 38,961 HK$4.73000 1 最低訂購數量 : 1 絕緣帶封裝 (CT)
可替代的包裝
TrenchFET® 有源 P 通道 MOSFET (金氧) 60V 1.6 A (Tc) 4.5V、10V 345mOhm @ 1.25A、10V 3V @ 250µA 4.1nC @ 4.5V ±20V 210pF @ 30V
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1W (Ta)、1.7W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) 表面黏著式 SOT-23-3 (TO-236) TO-236-3、SC-59、SOT-23-3
SI2309CDS-T1-GE3 Datasheet SI2309CDS-T1-GE3 - Vishay Siliconix SI2309CDS-T1-GE3DKR-ND SI2309CDS-T1-GE3 MOSFET P-CH 60V 1.6A SOT23-3 38,961 - 即時供貨 可供應: 38,961 Digi-Reel® 1 最低訂購數量 : 1 Digi-Reel®
可替代的包裝
TrenchFET® 有源 P 通道 MOSFET (金氧) 60V 1.6 A (Tc) 4.5V、10V 345mOhm @ 1.25A、10V 3V @ 250µA 4.1nC @ 4.5V ±20V 210pF @ 30V
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1W (Ta)、1.7W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) 表面黏著式 SOT-23-3 (TO-236) TO-236-3、SC-59、SOT-23-3
SI2309CDS-T1-E3 Datasheet SI2309CDS-T1-E3 - Vishay Siliconix SI2309CDS-T1-E3TR-ND SI2309CDS-T1-E3 MOSFET P-CH 60V 1.6A SOT23-3 3,000 - 即時供貨 可供應: 3,000 HK$1.58492 3,000 最低訂購數量 : 3,000 編帶和捲軸封裝 (TR)
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TrenchFET® 有源 P 通道 MOSFET (金氧) 60V 1.6 A (Tc) 4.5V、10V 345mOhm @ 1.25A、10V 3V @ 250µA 4.1nC @ 4.5V ±20V 210pF @ 30V
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1W (Ta)、1.7W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) 表面黏著式 SOT-23-3 (TO-236) TO-236-3、SC-59、SOT-23-3
SI2309CDS-T1-E3 Datasheet SI2309CDS-T1-E3 - Vishay Siliconix SI2309CDS-T1-E3CT-ND SI2309CDS-T1-E3 MOSFET P-CH 60V 1.6A SOT23-3 3,470 - 即時供貨 可供應: 3,470 HK$4.73000 1 最低訂購數量 : 1 絕緣帶封裝 (CT)
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TrenchFET® 有源 P 通道 MOSFET (金氧) 60V 1.6 A (Tc) 4.5V、10V 345mOhm @ 1.25A、10V 3V @ 250µA 4.1nC @ 4.5V ±20V 210pF @ 30V
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1W (Ta)、1.7W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) 表面黏著式 SOT-23-3 (TO-236) TO-236-3、SC-59、SOT-23-3
SI2309CDS-T1-E3 Datasheet SI2309CDS-T1-E3 - Vishay Siliconix SI2309CDS-T1-E3DKR-ND SI2309CDS-T1-E3 MOSFET P-CH 60V 1.6A SOT23-3 3,470 - 即時供貨 可供應: 3,470 Digi-Reel® 1 最低訂購數量 : 1 Digi-Reel®
可替代的包裝
TrenchFET® 有源 P 通道 MOSFET (金氧) 60V 1.6 A (Tc) 4.5V、10V 345mOhm @ 1.25A、10V 3V @ 250µA 4.1nC @ 4.5V ±20V 210pF @ 30V
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1W (Ta)、1.7W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) 表面黏著式 SOT-23-3 (TO-236) TO-236-3、SC-59、SOT-23-3
SI2309DS-T1-E3 Datasheet SI2309DS-T1-E3 - Vishay Siliconix SI2309DS-T1-E3TR-ND SI2309DS-T1-E3 MOSFET P-CH 60V 1.25A SOT23-3 0 可供應: 0
停產
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編帶和捲軸封裝 (TR) TrenchFET® 停產 P 通道 MOSFET (金氧) 60V
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4.5V、10V 340mOhm @ 1.25A、10V 1V @ 250µA (最小值) 12nC @ 10V ±20V
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1.25W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) 表面黏著式 SOT-23-3 (TO-236) TO-236-3、SC-59、SOT-23-3
SI2309DS-T1-E3 Datasheet SI2309DS-T1-E3 - Vishay Siliconix SI2309DS-T1-E3CT-ND SI2309DS-T1-E3 MOSFET P-CH 60V 1.25A SOT23-3 0 可供應: 0
停產
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絕緣帶封裝 (CT) TrenchFET® 停產 P 通道 MOSFET (金氧) 60V
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4.5V、10V 340mOhm @ 1.25A、10V 1V @ 250µA (最小值) 12nC @ 10V ±20V
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1.25W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) 表面黏著式 SOT-23-3 (TO-236) TO-236-3、SC-59、SOT-23-3
SI2309DS-T1-E3 Datasheet SI2309DS-T1-E3 - Vishay Siliconix SI2309DS-T1-E3DKR-ND SI2309DS-T1-E3 MOSFET P-CH 60V 1.25A SOT23-3 0 可供應: 0 Digi-Reel®
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Digi-Reel® TrenchFET® 停產 P 通道 MOSFET (金氧) 60V
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4.5V、10V 340mOhm @ 1.25A、10V 1V @ 250µA (最小值) 12nC @ 10V ±20V
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1.25W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) 表面黏著式 SOT-23-3 (TO-236) TO-236-3、SC-59、SOT-23-3
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