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產品概述
Digi-Key零件編號 SIS862DN-T1-GE3CT-ND
現有數量 13,702
可立即發貨
製造商

製造商零件編號

SIS862DN-T1-GE3

說明 MOSFET N-CH 60V 40A 1212
完整說明 N-Channel 60V 40A (Tc) 3.7W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
無鉛狀態 / RoHS 指令狀態 無鉛 / 符合 RoHS 指令
濕度敏感等級 (MSL) 1 (無限)
製造商的標準前置時間 15 週
文件與媒體
規格書 SIS862DN
視頻檔案 MOSFET Technologies for Power Conversion
PCN 組裝地/原產地 Multiple Fabracation Changes09/Jul/2014
產品屬性 選取所有項目
類別
製造商

Vishay Siliconix

系列 TrenchFET®
包裝 ? 絕緣帶封裝 (CT) ?
零件狀態 有效
FET 類型 N 通道
技術 MOSFET (金氧)
汲極至源極電壓 (Vdss) 60V
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C 40A (Tc)
驅動電壓 (最大 Rds On、最小 Rds On) 4.5V、10V
Vgs(th)(最大值)@ Id 2.6V @ 250µA
閘極電荷 (Qg) (最大) @ Vgs 32nC @ 10V
Vgs (最大) ±20V
輸入電容 (Ciss) (最大) @ Vds 1320pF @ 30V
FET 特點 -
功率耗散(最大值) 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Rds On(最大)@ Id、Vgs 8.5 mOhm @ 20A、10V
工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型 表面黏著式
供應商元件封裝 PowerPAK® 1212-8
封裝/外殼 PowerPAK® 1212-8
 
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其他資源
標準包裝 ? 1
其他名稱 SIS862DN-T1-GE3CT

03:16:51 1/19/2017

價格與採購
 

數量
所有價格皆為 HKD。
價格分段 單價 總價
1 9.75000 9.75
10 8.70100 87.01
25 8.25280 206.32
100 6.77990 677.99
250 6.33812 1,584.53
500 5.60118 2,800.59
1,000 4.42200 4,422.00

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替代的封裝 | 本零件更有以下封裝可供選擇:
  • 編帶和捲軸封裝 (TR) ? : SIS862DN-T1-GE3TR-ND
  • 最低訂購數量為: 3,000
  • 現有數量: 12,000 - 即時供貨
  • 單價: 4.00689
  • Digi-Reel® ? : SIS862DN-T1-GE3DKR-ND
  • 最低訂購數量為: 1
  • 現有數量: 13,702 - 即時供貨
  • 單價: Digi-Reel®
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