加到我的最愛
產品概述
Digi-Key零件編號 SIR870DP-T1-GE3CT-ND
現有數量
製造商

製造商零件編號

SIR870DP-T1-GE3

說明 MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8
完整說明 N-Channel 100V 60A (Tc) 6.25W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
無鉛狀態 / RoHS 指令狀態 無鉛 / 符合 RoHS 指令
濕度敏感等級 (MSL) 1 (無限)
製造商的標準前置時間 19 週
文件與媒體
規格書 SiR870DP
視頻檔案 MOSFET Technologies for Power Conversion
PCN 組裝地/原產地 Multiple Fabracation Changes09/Jul/2014
產品屬性 選取所有項目
類別
製造商

Vishay Siliconix

系列 TrenchFET®
包裝 ? 絕緣帶封裝 (CT) ?
零件狀態 有效
FET 類型 N 通道
技術 MOSFET (金氧)
汲極至源極電壓 (Vdss) 100V
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C 60 A (Tc)
驅動電壓 (最大 Rds On、最小 Rds On) 4.5V、10V
Vgs(th)(最大值)@ Id 3 V @ 250 µA
閘極電荷 (Qg) (最大) @ Vgs 84 nC @ 10 V
輸入電容 (Ciss) (最大) @ Vds 2840 pF @ 50 V
Vgs (最大) ±20 V
FET 特點 -
功率耗散(最大值) 6.25 W (Ta), 104 W (Tc)
Rds On(最大)@ Id、Vgs 6 mOhm @ 20 A、10 V
工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型 表面黏著式
供應商元件封裝 PowerPAK® SO-8
封裝/外殼 PowerPAK® SO-8
 
您可能會對以下項目感興趣
其他資源
標準包裝 ? 1
其他名稱 SIR870DP-T1-GE3CT

12:17:23 3/26/2017

價格與採購
 

數量
所有價格皆為 HKD。
價格分段 單價 總價
1 21.88000 21.88
10 19.68300 196.83
25 18.57160 464.29
100 15.82320 1,582.32
250 14.85764 3,714.41
500 13.00032 6,500.16
1,000 10.77172 10,771.72

送出報價請求,瞭解超過顯示數量時的價格。

替代的封裝 | 本零件更有以下封裝可供選擇:
  • 編帶和捲軸封裝 (TR) ? : SIR870DP-T1-GE3TR-ND
  • 最低訂購數量為: 3,000
  • 現有數量: 0
  • 單價: 9.73677
傳送意見回饋