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產品概述
Digi-Key零件編號 SIR812DP-T1-GE3CT-ND
現有數量 5,436
可立即發貨
製造商

製造商零件編號

SIR812DP-T1-GE3

說明 MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
完整說明 N-Channel 30V 60A (Tc) 6.25W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
無鉛狀態 / RoHS 指令狀態 無鉛 / 符合 RoHS 指令
濕度敏感等級 (MSL) 1 (無限)
製造商的標準前置時間 15 週
文件與媒體
規格書 SiR812DP
視頻檔案 MOSFET Technologies for Power Conversion
PCN 設計/規格 Datasheet Update 22/Jun/2015
PCN 組裝地/原產地 Multiple Fabracation Changes09/Jul/2014
產品屬性 選取所有項目
類別
製造商

Vishay Siliconix

系列 TrenchFET®
包裝 ? 絕緣帶封裝 (CT) ?
零件狀態 有效
FET 類型 N 通道
技術 MOSFET (金氧)
汲極至源極電壓 (Vdss) 30V
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C 60 A (Tc)
驅動電壓 (最大 Rds On、最小 Rds On) 4.5V、10V
Vgs(th)(最大值)@ Id 2.3 V @ 250 µA
閘極電荷 (Qg) (最大) @ Vgs 335 nC @ 10 V
輸入電容 (Ciss) (最大) @ Vds 10240 pF @ 15 V
Vgs (最大) ±20V
FET 特點 -
功率耗散(最大值) 6.25 W (Ta), 104 W (Tc)
Rds On(最大)@ Id、Vgs 1.45 mOhm @ 20 A、10 V
工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型 表面黏著式
供應商元件封裝 PowerPAK® SO-8
封裝/外殼 PowerPAK® SO-8
 
其他資源
標準包裝 ? 1
其他名稱 SIR812DP-T1-GE3CT

03:12:45 2/24/2017

價格與採購
 

數量
所有價格皆為 HKD。
價格分段 單價 總價
1 13.57000 13.57
10 12.11000 121.10
25 11.49560 287.39
100 9.44190 944.19
250 8.82620 2,206.55
500 7.80008 3,900.04
1,000 6.15790 6,157.90

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替代的封裝 | 本零件更有以下封裝可供選擇:
  • 編帶和捲軸封裝 (TR) ? : SIR812DP-T1-GE3TR-ND
  • 最低訂購數量為: 3,000
  • 現有數量: 3,000 - 即時供貨
  • 單價: 5.57997
  • Digi-Reel® ? : SIR812DP-T1-GE3DKR-ND
  • 最低訂購數量為: 1
  • 現有數量: 5,436 - 即時供貨
  • 單價: Digi-Reel®
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