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產品概述
Digi-Key零件編號 SIHB33N60E-GE3-ND
現有數量 4,340
可立即發貨
製造商

製造商零件編號

SIHB33N60E-GE3

說明 MOSFET N-CH 600V 33A TO-263
完整說明 N-Channel 600V 33A (Tc) 278W (Tc) Surface Mount D2PAK
無鉛狀態 / RoHS 指令狀態 無鉛 / 符合 RoHS 指令
濕度敏感等級 (MSL) 1 (無限)
製造商的標準前置時間 19 週
產品屬性 選取所有項目
類別
製造商

Vishay Siliconix

系列 -
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零件狀態 有效
FET 類型 N 通道
技術 MOSFET (金氧)
汲極至源極電壓 (Vdss) 600V
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C 33 A (Tc)
驅動電壓 (最大 Rds On、最小 Rds On) 10V
Vgs(th)(最大值)@ Id 4 V @ 250 µA
閘極電荷 (Qg) (最大) @ Vgs 150 nC @ 10 V
輸入電容 (Ciss) (最大) @ Vds 3508 pF @ 100 V
Vgs (最大) ±30 V
FET 特點 -
功率耗散(最大值) 278 W (Tc)
Rds On(最大)@ Id、Vgs 99 mOhm @ 16.5 A、10 V
工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型 表面黏著式
供應商元件封裝 D2PAK
封裝/外殼 TO-263-3、D²Pak (2 引線 + 接頭)、TO-263AB
 
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其他資源
標準包裝 ? 1,000
其他名稱 SIHB33N60EGE3

19:44:46 3/22/2017

價格與採購
 

數量
所有價格皆為 HKD。
價格分段 單價 總價
1 52.41000 52.41
10 47.04800 470.48
25 44.47680 1,111.92
100 38.54670 3,854.67
250 36.56968 9,142.42
500 32.81380 16,406.90
1,000 27.67428 27,674.28

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