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產品概述
Digi-Key零件編號 SI7119DN-T1-GE3CT-ND
現有數量
製造商

製造商零件編號

SI7119DN-T1-GE3

說明 MOSFET P-CH 200V 3.8A 1212-8
無鉛狀態 / RoHS 指令狀態 無鉛 / 符合 RoHS 指令
濕度敏感等級 (MSL) 1 (無限)
製造商的標準前置時間 15 週
文件與媒體
規格書 SI7119DN
視頻檔案 MOSFET Technologies for Power Conversion
產品屬性 選取所有項目
類別

離散半導體產品

家族

電晶體 - FET、MOSFET - 單

製造商

Vishay Siliconix

系列 TrenchFET®
包裝 ? 絕緣帶封裝 (CT) ?
零件狀態 有效
FET 類型 MOSFET P 通道、金屬氧化物
FET 特點 標準
汲極至源極電壓 (Vdss) 200V
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C 3.8A (Tc)
Rds On(最大)@ Id、Vgs 1.05 Ohm @ 1A、10V
Vgs(th)(最大值)@ Id 4V @ 250µA
閘極電荷 (Qg) @ Vgs 25nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds 666pF @ 50V
功率 - 最大 52W
工作溫度 -50°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型 表面黏著式
封裝/外殼 PowerPAK® 1212-8
供應商元件封裝 PowerPAK® 1212-8
 
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其他資源
標準包裝 ? 1
其他名稱 SI7119DN-T1-GE3CT

23:56:14 12/8/2016

價格與採購
 

數量
所有價格皆為 HKD。
價格分段 單價 總價
1 8.40000 8.40
10 7.47100 74.71
25 7.09280 177.32
100 5.82590 582.59
250 5.44600 1,361.50
500 4.81286 2,406.43
1,000 3.79955 3,799.55

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替代的封裝 | 本零件更有以下封裝可供選擇:
  • 編帶和捲軸封裝 (TR) ? : SI7119DN-T1-GE3TR-ND
  • 最低訂購數量為: 3,000
  • 現有數量: 0
  • 單價: 3.44296
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