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產品概述
Digi-Key零件編號 SI4425DDY-T1-GE3CT-ND
現有數量
製造商

製造商零件編號

SI4425DDY-T1-GE3

說明 MOSFET P-CH 30V 19.7A 8-SOIC
完整說明 P-Channel 30V 19.7A (Tc) 2.5W (Ta), 5.7W (Tc) Surface Mount 8-SO
無鉛狀態 / RoHS 指令狀態 無鉛 / 符合 RoHS 指令
濕度敏感等級 (MSL) 1 (無限)
製造商的標準前置時間 26 週
文件與媒體
規格書 SI4425DDY
視頻檔案 MOSFET Technologies for Power Conversion
PCN 組裝地/原產地 Multiple Fabracation Changes09/Jul/2014
產品屬性 選取所有項目
類別
製造商

Vishay Siliconix

系列 TrenchFET®
包裝 ? 絕緣帶封裝 (CT) ?
零件狀態 有效
FET 類型 P 通道
技術 MOSFET (金氧)
汲極至源極電壓 (Vdss) 30V
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C 19.7 A (Tc)
驅動電壓 (最大 Rds On、最小 Rds On) 4.5V、10V
Vgs(th)(最大值)@ Id 2.5 V @ 250 µA
閘極電荷 (Qg) (最大) @ Vgs 80 nC @ 10 V
輸入電容 (Ciss) (最大) @ Vds 2610 pF @ 15 V
Vgs (最大) ±20V
FET 特點 -
功率耗散(最大值) 2.5 W (Ta), 5.7 W (Tc)
Rds On(最大)@ Id、Vgs 9.8 mOhm @ 13 A、10 V
工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型 表面黏著式
供應商元件封裝 8-SO
封裝/外殼 8-SOIC (0.154"、3.90 mm 寬)
 
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其他資源
標準包裝 ? 1
其他名稱 SI4425DDY-T1-GE3CT

12:46:47 2/24/2017

價格與採購
 

數量
所有價格皆為 HKD。
價格分段 單價 總價
1 7.55000 7.55
10 6.63200 66.32
25 6.22800 155.70
100 5.08300 508.30
250 4.72108 1,180.27
500 4.01792 2,008.96
1,000 3.21434 3,214.34

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替代的封裝 | 本零件更有以下封裝可供選擇:
  • 編帶和捲軸封裝 (TR) ? : SI4425DDY-T1-GE3TR-ND
  • 最低訂購數量為: 2,500
  • 現有數量: 0
  • 單價: 2.82815
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