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產品概述
Digi-Key零件編號 SI2365EDS-T1-GE3CT-ND
現有數量 92,023
可立即發貨
製造商

製造商零件編號

SI2365EDS-T1-GE3

說明 MOSFET P-CH 20V 5.9A TO-236
完整說明 P-Channel 20V 5.9A (Tc) 1W (Ta), 1.7W (Tc) Surface Mount TO-236
無鉛狀態 / RoHS 指令狀態 無鉛 / 符合 RoHS 指令
濕度敏感等級 (MSL) 1 (無限)
製造商的標準前置時間 19 週
文件與媒體
規格書 SI2365EDS
視頻檔案 MOSFET Technologies for Power Conversion
PCN 組裝地/原產地 Wafer Fab Addition 22/Jun/2015
產品屬性 選取所有項目
類別
製造商

Vishay Siliconix

系列 TrenchFET®
包裝 ? 絕緣帶封裝 (CT) ?
零件狀態 有效
FET 類型 P 通道
技術 MOSFET (金氧)
汲極至源極電壓 (Vdss) 20V
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C 5.9 A (Tc)
驅動電壓 (最大 Rds On、最小 Rds On) 1.8V、4.5V
Vgs(th)(最大值)@ Id 1 V @ 250 µA
閘極電荷 (Qg) (最大) @ Vgs 36 nC @ 8 V
輸入電容 (Ciss) (最大) @ Vds -
Vgs (最大) ±8 V
FET 特點 -
功率耗散(最大值) 1 W (Ta), 1.7 W (Tc)
Rds On(最大)@ Id、Vgs 32 mOhm @ 4 A、4.5 V
工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型 表面黏著式
供應商元件封裝 TO-236
封裝/外殼 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3
 
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其他資源
標準包裝 ? 1
其他名稱 SI2365EDS-T1-GE3CT

23:38:25 3/24/2017

價格與採購
 

數量
所有價格皆為 HKD。
價格分段 單價 總價
1 3.48000 3.48
10 2.64600 26.46
25 2.38480 59.62
100 1.64690 164.69
250 1.38668 346.67
500 1.12668 563.34
1,000 0.86676 866.76

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